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SIDC42D120H6
制造厂商:英飞凌(Infineon)
类别封装:单二极管整流器,带箔切割晶片
技术参数:DIODE GEN PURP 1.2KV 75A WAFER
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技术参数详情:
制造商产品型号:SIDC42D120H6制造商:英飞凌半导体(Infineon)描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 75A WAFER系列:-二极管类型:标准电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1200V(1.2kV)电流 - 平均整流 (Io):75A(DC)不同 If 时的电压 - 正向 (Vf):1.6V @ 75A速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)反向恢复时间 (trr):-不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:27μA @ 1200V不同 Vr、F 时的电容:-安装类型:表面贴装封装/外壳:晶片供应商器件封装:带箔切割晶片工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C现在可以订购SIDC42D120H6,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。