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强大的Infineon英飞凌芯片现货交付能力
SGB15N120
制造厂商：英飞凌（Infineon）
类别封装：单路IGBT，PG-TO263-3
技术参数：IGBT 1200V 30A 198W TO263-3
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技术参数详情：
制造商产品型号：SGB15N120制造商：英飞凌半导体（Infineon）描述：IGBT 1200V 30A 198W TO263-3系列：-IGBT 类型：NPT电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：30ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：52A不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：3.6V @ 15V，15A功率 - 最大值：198WSwitching Energy：1.9mJ输入类型：标准Gate Charge：130nC25°C 时 Td（开/关）值：18ns/580nsTest Condition：800V, 15A, 33 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr)：-封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB安装类型：表面贴装供应商器件封装：PG-TO263-3现在可以订购SGB15N120，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
