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强大的Infineon英飞凌芯片现货交付能力
PTAB182002TCV2R250XTMA1
制造厂商：英飞凌（Infineon）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 射频，封装：H-49248H-4
技术参数：IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4
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技术参数详情：
制造商产品型号：PTAB182002TCV2R250XTMA1制造商：英飞凌半导体（Infineon）描述：IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4系列：晶体管 - FET，MOSFET - 射频零件状态：停产晶体管类型：LDMOS频率：1.805GHz ~ 1.88GHz增益：14.8dB电压-测试：28V额定电流（安培）：10μA噪声系数：-电流-测试：520mA功率-输出：29W电压-额定：65V封装：H-49248H-4现在可以订购PTAB182002TCV2R250XTMA1，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
