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强大的Infineon英飞凌芯片现货交付能力
IRGP4263D-EPBF
制造厂商：英飞凌（Infineon）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3
技术参数：IGBT 650V 90A 325W TO-247
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技术参数详情：
制造商产品型号：IRGP4263D-EPBF制造商：英飞凌半导体（Infineon）描述：IGBT 650V 90A 325W TO-247系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：停产IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：650V电流-集电极(Ic)（最大值）：90A电流-集电极脉冲(Icm)：192A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，48A功率-最大值：325W开关能量：2.9mJ（开），1.4mJ（关）输入类型：标准栅极电荷：145nC25°C时Td（开/关）值：70ns/140ns测试条件：400V，48A，10 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：170ns工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-247-3现在可以订购IRGP4263D-EPBF，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
