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强大的Infineon英飞凌芯片现货交付能力
IRGBC30FD2
制造厂商：英飞凌（Infineon）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-220-3
技术参数：IGBT W/DIODE 600V 31A TO-220AB
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技术参数详情：
制造商产品型号：IRGBC30FD2制造商：英飞凌半导体（Infineon）描述：IGBT W/DIODE 600V 31A TO-220AB系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：停产IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：600V电流-集电极(Ic)（最大值）：31A电流-集电极脉冲(Icm)：-不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，17A功率-最大值：100W开关能量：-输入类型：标准栅极电荷：-25°C时Td（开/关）值：-测试条件：-反向恢复时间(trr)：-工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-220-3现在可以订购IRGBC30FD2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
