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强大的Infineon英飞凌芯片现货交付能力
IRG8P50N120KD-EPBF
制造厂商：英飞凌（Infineon）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3
技术参数：IGBT 1200V 80A TO247AD
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技术参数详情：
制造商产品型号：IRG8P50N120KD-EPBF制造商：英飞凌半导体（Infineon）描述：IGBT 1200V 80A TO247AD系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：停产IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：1200V电流-集电极(Ic)（最大值）：80A电流-集电极脉冲(Icm)：105A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，35A功率-最大值：350W开关能量：2.3mJ（开），1.9mJ（关）输入类型：标准栅极电荷：315nC25°C时Td（开/关）值：35ns/190ns测试条件：600V，35A，5 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：170ns工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-247-3现在可以订购IRG8P50N120KD-EPBF，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
