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强大的Infineon英飞凌芯片现货交付能力
IRG4BH20K-L
制造厂商：英飞凌（Infineon）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA
技术参数：IGBT 1200V 11A 60W TO262
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技术参数详情：
制造商产品型号：IRG4BH20K-L制造商：英飞凌半导体（Infineon）描述：IGBT 1200V 11A 60W TO262系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：停产IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：1200V电流-集电极(Ic)（最大值）：11A电流-集电极脉冲(Icm)：22A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：4.3V @ 15V，5A功率-最大值：60W开关能量：450μJ（开），440μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：28nC25°C时Td（开/关）值：23ns/93ns测试条件：960V，5A，50 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：-工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA现在可以订购IRG4BH20K-L，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
