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强大的Infineon英飞凌芯片现货交付能力
IRG4BC30FD-STRR
制造厂商:英飞凌(Infineon)
类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
技术参数:IGBT 600V 31A 100W D2PAK
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技术参数详情:
制造商产品型号:IRG4BC30FD-STRR制造商:英飞凌半导体(Infineon)描述:IGBT 600V 31A 100W D2PAK系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:-零件状态:停产IGBT类型:-电压-集射极击穿(最大值):600V电流-集电极(Ic)(最大值):31A电流-集电极脉冲(Icm):120A不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,17A功率-最大值:100W开关能量:630μJ(开),1.39mJ(关)输入类型:标准栅极电荷:51nC25°C时Td(开/关)值:42ns/230ns测试条件:480V,17A,23 欧姆,15V反向恢复时间(trr):42ns工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB现在可以订购IRG4BC30FD-STRR,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。