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IRF7473PBF
  • 制造厂商:英飞凌(Infineon)
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:8-SO
  • 技术参数:MOSFET N-CH 100V 6.9A 8SO
  • (专注销售英飞凌电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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    全方位电子元器件现货供应链管理解决方案,英飞凌授权中国一级代理商
    技术参数详情:
  • 制造商产品型号:IRF7473PBF
  • 制造商:英飞凌半导体(Infineon)
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 6.9A 8SO
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:HEXFET?
  • 零件状态:停产
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):100V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):6.9A(Ta)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):26 毫欧 @ 4.1A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):5.5V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):61nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):3180pF @ 25V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):2.5W(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:8-SO
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