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强大的Infineon英飞凌芯片现货交付能力
IRF7473PBF
制造厂商：英飞凌（Infineon）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-SO
技术参数：MOSFET N-CH 100V 6.9A 8SO
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技术参数详情：
制造商产品型号：IRF7473PBF制造商：英飞凌半导体（Infineon）描述：MOSFET N-CH 100V 6.9A 8SO系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：HEXFET?零件状态：停产FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：100V25°C时电流-连续漏极(Id)：6.9A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：26 毫欧 @ 4.1A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：5.5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：61nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3180pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：2.5W（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：8-SO现在可以订购IRF7473PBF，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
