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IPW65R310CFD
制造厂商:英飞凌(Infineon)
类别封装:单端场效应管,PG-TO247-3
技术参数:MOSFET N-CH 650V 11.4A TO247
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技术参数详情:
制造商产品型号:IPW65R310CFD制造商:英飞凌半导体(Infineon)描述:MOSFET N-CH 650V 11.4A TO247系列:CoolMOS?FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):650V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):11.4A(Tc)不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):310 毫欧 @ 4.4A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 440μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):41nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1100pF @ 100V功率 - 最大值:104.2W安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3供应商器件封装:PG-TO247-3现在可以订购IPW65R310CFD,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。