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强大的Infineon英飞凌芯片现货交付能力
IPN60R3K4CEATMA1
制造厂商：英飞凌（Infineon）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：PG-SOT223
技术参数：MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223
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技术参数详情：
制造商产品型号：IPN60R3K4CEATMA1制造商：英飞凌半导体（Infineon）描述：MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：CoolMOS?零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：600V25°C时电流-连续漏极(Id)：2.6A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.4 欧姆 @ 500mA，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 40μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：4.6nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：93pF @ 100VFET功能：超级结功率耗散（最大值）：5W（Tc）工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：PG-SOT223现在可以订购IPN60R3K4CEATMA1，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
