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产品参考图片
IPG20N06S415ATMA1 图片
IPG20N06S415ATMA1
  • 制造厂商:英飞凌(Infineon)
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:8-PowerVDFN
  • 技术参数:MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
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    技术参数详情:
  • 制造商产品型号:IPG20N06S415ATMA1
  • 制造商:英飞凌半导体(Infineon)
  • 描述:MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 产品系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS?
  • 零件状态:停产
  • FET类型:2 N-通道(双)
  • FET功能:标准
  • 漏源电压(Vdss):60V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):20A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):15.5 毫欧 @ 17A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 20μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):29nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2260pF @ 25V
  • 功率-最大值:50W
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:8-PowerVDFN
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