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强大的Infineon英飞凌芯片现货交付能力
IPG20N06S2L-35
制造厂商：英飞凌（Infineon）
类别封装：场效应管阵列，PG-TDSON-8-4
技术参数：MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
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技术参数详情：
制造商产品型号：IPG20N06S2L-35制造商：英飞凌半导体（Infineon）描述：MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4系列：OptiMOS?FET 类型：2 个 N 沟道（双）FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：55V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：20A不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：35 毫欧 @ 15A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 27μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：23nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：790pF @ 25V功率 - 最大值：65W安装类型：表面贴装封装/外壳：8-PowerTDFN供应商器件封装：PG-TDSON-8-4（5.15x6.15）现在可以订购IPG20N06S2L-35，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
