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强大的Infineon英飞凌芯片现货交付能力
IPD80P03P4L07ATMA2
制造厂商：英飞凌（Infineon）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：PG-TO252-3-11
技术参数：MOSFET P-CH 30V 80A TO252-31
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技术参数详情：
制造商产品型号：IPD80P03P4L07ATMA2制造商：英飞凌半导体（Infineon）描述：MOSFET P-CH 30V 80A TO252-31系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：Automotive, AEC-Q101, OptiMOS?-P2零件状态：有源FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：80A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6.8 毫欧 @ 80A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 130μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：80nC @ 10VVgs（最大值）：+5V，-16V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：5700pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：88W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：PG-TO252-3-11现在可以订购IPD80P03P4L07ATMA2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
