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强大的Infineon英飞凌芯片现货交付能力
IPD60R2K1CEBTMA1
制造厂商：英飞凌（Infineon）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-252-3
技术参数：MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3
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技术参数详情：
制造商产品型号：IPD60R2K1CEBTMA1制造商：英飞凌半导体（Infineon）描述：MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：CoolMOS? CE零件状态：停产FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：600V25°C时电流-连续漏极(Id)：2.3A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.1 欧姆 @ 760mA，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 60μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：6.7nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：140pF @ 100VFET功能：-功率耗散（最大值）：22W（Tc）工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：TO-252-3现在可以订购IPD60R2K1CEBTMA1，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
