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强大的Infineon英飞凌芯片现货交付能力
IPD50R380CEBTMA1
制造厂商:英飞凌(Infineon)
类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:PG-TO252-3
技术参数:MOSFET N-CH 500V 9.9A TO252-3
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技术参数详情:
制造商产品型号:IPD50R380CEBTMA1制造商:英飞凌半导体(Infineon)描述:MOSFET N-CH 500V 9.9A TO252-3系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:CoolMOS?零件状态:停产FET类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):500V25°C时电流-连续漏极(Id):9.9A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):13V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):380 毫欧 @ 3.2A,13V不同Id时Vgs(th)(最大值):3.5V @ 260μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):24.8nC @ 10VVgs(最大值):±20V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):584pF @ 100VFET功能:超级结功率耗散(最大值):73W(Tc)工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型器件封装:PG-TO252-3现在可以订购IPD50R380CEBTMA1,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。