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强大的Infineon英飞凌芯片现货交付能力
IPD15N06S2L64ATMA2
制造厂商：英飞凌（Infineon）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：PG-TO252-3-11
技术参数：MOSFET N-CH 55V 19A TO252-31
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技术参数详情：
制造商产品型号：IPD15N06S2L64ATMA2制造商：英飞凌半导体（Infineon）描述：MOSFET N-CH 55V 19A TO252-31系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：Automotive, AEC-Q101, OptiMOS?零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：55V25°C时电流-连续漏极(Id)：19A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：64 毫欧 @ 13A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 14μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：13nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：354pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：47W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：PG-TO252-3-11现在可以订购IPD15N06S2L64ATMA2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
