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强大的Infineon英飞凌芯片现货交付能力
IPB025N10N3 G
制造厂商：英飞凌（Infineon）
类别封装：单端场效应管，PG-TO263-7
技术参数：MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
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技术参数详情：
制造商产品型号：IPB025N10N3 G制造商：英飞凌半导体（Infineon）描述：MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7系列：OptiMOS?FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：100V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：180A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：2.5 毫欧 @ 100A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 275μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：206nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：14800pF @ 50V功率 - 最大值：300W安装类型：表面贴装封装/外壳：TO-263-7，D2Pak（6 引线+接片），TO-263CB供应商器件封装：PG-TO263-7现在可以订购IPB025N10N3 G，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
