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强大的Infineon英飞凌芯片现货交付能力
IPB017N10N5LFATMA1
制造厂商：英飞凌（Infineon）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：PG-TO263-7
技术参数：MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
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技术参数详情：
制造商产品型号：IPB017N10N5LFATMA1制造商：英飞凌半导体（Infineon）描述：MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：OptiMOS?-5零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：100V25°C时电流-连续漏极(Id)：180A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.7 毫欧 @ 100A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.1V @ 270μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：195nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：840pF @ 50VFET功能：-功率耗散（最大值）：313W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：PG-TO263-7现在可以订购IPB017N10N5LFATMA1，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
