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强大的Infineon英飞凌芯片现货交付能力
IPB009N03LGATMA1
制造厂商：英飞凌（Infineon）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：PG-TO263-7-3
技术参数：MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
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技术参数详情：
制造商产品型号：IPB009N03LGATMA1制造商：英飞凌半导体（Infineon）描述：MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：OptiMOS?零件状态：不適用於新設計FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：180A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：0.95 毫欧 @ 100A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：227nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：25000pF @ 15VFET功能：-功率耗散（最大值）：250W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：PG-TO263-7-3现在可以订购IPB009N03LGATMA1，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
