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强大的Infineon英飞凌芯片现货交付能力
IPAN60R210PFD7SXKSA1
制造厂商：英飞凌（Infineon）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：PG-TO220 整包
技术参数：MOSFET N-CH 650V 16A TO220
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技术参数详情：
制造商产品型号：IPAN60R210PFD7SXKSA1制造商：英飞凌半导体（Infineon）描述：MOSFET N-CH 650V 16A TO220系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：CoolMOS?PFD7零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：650V25°C时电流-连续漏极(Id)：16A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：210 毫欧 @ 4.9A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 240μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：23nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1015pF @ 400VFET功能：-功率耗散（最大值）：25W（Tc）工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：PG-TO220 整包现在可以订购IPAN60R210PFD7SXKSA1，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
