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强大的Infineon英飞凌芯片现货交付能力
IPA65R600E6XKSA1
制造厂商:英飞凌(Infineon)
类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:PG-TO220-FP
技术参数:MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-FP
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技术参数详情:
制造商产品型号:IPA65R600E6XKSA1制造商:英飞凌半导体(Infineon)描述:MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-FP系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:CoolMOS?零件状态:不適用於新設計FET类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):650V25°C时电流-连续漏极(Id):7.3A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):600 毫欧 @ 2.1A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):3.5V @ 210μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):23nC @ 10VVgs(最大值):±20V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):440pF @ 100VFET功能:-功率耗散(最大值):28W(Tc)工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:通孔器件封装:PG-TO220-FP现在可以订购IPA65R600E6XKSA1,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。