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强大的Infineon英飞凌芯片现货交付能力
IPA032N06N3 G
制造厂商:英飞凌(Infineon)
类别封装:单端场效应管,PG-TO220-3-31
技术参数:MOSFET N-CH 60V 84A TO220-3-31
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技术参数详情:
制造商产品型号:IPA032N06N3 G制造商:英飞凌半导体(Infineon)描述:MOSFET N-CH 60V 84A TO220-3-31系列:OptiMOS?FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):60V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):84A(Tc)不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):3.2 毫欧 @ 80A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 118μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):165nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):13000pF @ 30V功率 - 最大值:41W安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:PG-TO220-3-31 整包现在可以订购IPA032N06N3 G,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。