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强大的Infineon英飞凌芯片现货交付能力
IMZ120R060M1HXKSA1
制造厂商：英飞凌（Infineon）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：PG-TO247-4-1
技术参数：SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-4
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技术参数详情：
制造商产品型号：IMZ120R060M1HXKSA1制造商：英飞凌半导体（Infineon）描述：SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-4系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：CoolSiC?零件状态：有源FET类型：N 通道技术：SiCFET（碳化硅）漏源电压（Vdss）：1.2kV25°C时电流-连续漏极(Id)：36A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：15V，18V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：78 毫欧 @ 13A，18V不同Id时Vgs(th)（最大值）：5.7V @ 5.6mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：31nC @ 18VVgs（最大值）：+23V，-7V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1.06nF @ 800VFET功能：-功率耗散（最大值）：150W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：PG-TO247-4-1现在可以订购IMZ120R060M1HXKSA1，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
