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IKP03N120H2
制造厂商:英飞凌(Infineon)
类别封装:单路IGBT,PG-TO220-3
技术参数:IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO220-3
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技术参数详情:
制造商产品型号:IKP03N120H2制造商:英飞凌半导体(Infineon)描述:IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO220-3系列:-IGBT 类型:-电压 - 集射极击穿(最大值):1200V电流 - 集电极 (Ic)(最大值):9.6ACurrent - Collector Pulsed (Icm):9.9A不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.8V @ 15V,3A功率 - 最大值:62.5WSwitching Energy:290μJ输入类型:标准Gate Charge:22nC25°C 时 Td(开/关)值:9.2ns/281nsTest Condition:800V, 3A, 82 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr):42ns封装/外壳:TO-220-3安装类型:通孔供应商器件封装:PG-TO220-3现在可以订购IKP03N120H2,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。