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IKD10N60RC2ATMA1
制造厂商:英飞凌(Infineon)
类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
技术参数:IKD10N60RC2ATMA1
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技术参数详情:
制造商产品型号:IKD10N60RC2ATMA1制造商:英飞凌半导体(Infineon)描述:IKD10N60RC2ATMA1系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:TrenchStop?零件状态:有源IGBT类型:沟槽型场截止电压-集射极击穿(最大值):600V电流-集电极(Ic)(最大值):18.8A电流-集电极脉冲(Icm):30A不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,10A功率-最大值:79W开关能量:320μJ(开),170μJ(关)输入类型:标准栅极电荷:48nC25°C时Td(开/关)值:14ns/250ns测试条件:400V,10A,49 欧姆,15V反向恢复时间(trr):104ns工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63现在可以订购IKD10N60RC2ATMA1,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。