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IKB15N60T
制造厂商:英飞凌(Infineon)
类别封装:单路IGBT,PG-TO-263
技术参数:IGBT 600V 30A 130W TO263-3
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技术参数详情:
制造商产品型号:IKB15N60T制造商:英飞凌半导体(Infineon)描述:IGBT 600V 30A 130W TO263-3系列:TrenchStopIGBT 类型:沟道和场截止电压 - 集射极击穿(最大值):600V电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30ACurrent - Collector Pulsed (Icm):45A不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.05V @ 15V,15A功率 - 最大值:130WSwitching Energy:570μJ输入类型:标准Gate Charge:87nC25°C 时 Td(开/关)值:17ns/188nsTest Condition:400V, 15A, 15 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr):34ns封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-TO-263现在可以订购IKB15N60T,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。