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产品参考图片
IHW15N120R2 图片
IHW15N120R2
  • 制造厂商:英飞凌(Infineon)
  • 类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-247-3
  • 技术参数:IGBT 1200V 30A 357W TO247-3
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    技术参数详情:
  • 制造商产品型号:IHW15N120R2
  • 制造商:英飞凌半导体(Infineon)
  • 描述:IGBT 1200V 30A 357W TO247-3
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:-
  • 零件状态:停产
  • IGBT类型:沟槽型场截止
  • 电压-集射极击穿(最大值):1200V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):30A
  • 电流-集电极脉冲(Icm):45A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):1.75V @ 15V,15A
  • 功率-最大值:357W
  • 开关能量:900μJ(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:133nC
  • 25°C时Td(开/关)值:-/282ns
  • 测试条件:600V,15A,14.8 欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr):-
  • 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 封装:TO-247-3
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