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强大的Infineon英飞凌芯片现货交付能力
IHW15N120R2
制造厂商:英飞凌(Infineon)
类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-247-3
技术参数:IGBT 1200V 30A 357W TO247-3
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技术参数详情:
制造商产品型号:IHW15N120R2制造商:英飞凌半导体(Infineon)描述:IGBT 1200V 30A 357W TO247-3系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:-零件状态:停产IGBT类型:沟槽型场截止电压-集射极击穿(最大值):1200V电流-集电极(Ic)(最大值):30A电流-集电极脉冲(Icm):45A不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):1.75V @ 15V,15A功率-最大值:357W开关能量:900μJ(关)输入类型:标准栅极电荷:133nC25°C时Td(开/关)值:-/282ns测试条件:600V,15A,14.8 欧姆,15V反向恢复时间(trr):-工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)安装类型:通孔封装:TO-247-3现在可以订购IHW15N120R2,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。