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强大的Infineon英飞凌芯片现货交付能力
IGC50T120T8RLX7SA2
制造厂商:英飞凌(Infineon)
类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:-
技术参数:IGBT 1200V 50A DIE
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技术参数详情:
制造商产品型号:IGC50T120T8RLX7SA2制造商:英飞凌半导体(Infineon)描述:IGBT 1200V 50A DIE系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:*零件状态:有源IGBT类型:沟槽型场截止电压-集射极击穿(最大值):1200V电流-集电极(Ic)(最大值):-电流-集电极脉冲(Icm):150A不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.07V @ 15V,50A功率-最大值:-开关能量:-输入类型:标准栅极电荷:-25°C时Td(开/关)值:-测试条件:-反向恢复时间(trr):-工作温度:-安装类型:-封装:-现在可以订购IGC50T120T8RLX7SA2,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。