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强大的Infineon英飞凌芯片现货交付能力
IGC18T120T8QX1SA1
制造厂商：英飞凌（Infineon）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：模具
技术参数：IGBT 1200V 15A DIE
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技术参数详情：
制造商产品型号：IGC18T120T8QX1SA1制造商：英飞凌半导体（Infineon）描述：IGBT 1200V 15A DIE系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：TrenchStop?零件状态：有源IGBT类型：沟槽型场截止电压-集射极击穿（最大值）：1200V电流-集电极(Ic)（最大值）：-电流-集电极脉冲(Icm)：45A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.42V @ 15V，15A功率-最大值：-开关能量：-输入类型：标准栅极电荷：-25°C时Td（开/关）值：-测试条件：-反向恢复时间(trr)：-工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：模具现在可以订购IGC18T120T8QX1SA1，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
