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IGC11T120T8LX1SA1
制造厂商:英飞凌(Infineon)
类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:模具
技术参数:IGBT 1200V 8A SAWN ON FOIL
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技术参数详情:
制造商产品型号:IGC11T120T8LX1SA1制造商:英飞凌半导体(Infineon)描述:IGBT 1200V 8A SAWN ON FOIL系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:TrenchStop?零件状态:有源IGBT类型:沟槽型场截止电压-集射极击穿(最大值):1200V电流-集电极(Ic)(最大值):-电流-集电极脉冲(Icm):24A不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.07V @ 15V,8A功率-最大值:-开关能量:-输入类型:标准栅极电荷:-25°C时Td(开/关)值:-测试条件:-反向恢复时间(trr):-工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装:模具现在可以订购IGC11T120T8LX1SA1,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。