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强大的Infineon英飞凌芯片现货交付能力
IDB18E120
制造厂商：英飞凌（Infineon）
类别封装：单二极管整流器，PG-TO263-3
技术参数：DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3
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技术参数详情：
制造商产品型号：IDB18E120制造商：英飞凌半导体（Infineon）描述：DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3系列：-二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200V（1.2kV）电流 - 平均整流 (Io)：31A（DC）不同 If 时的电压 - 正向 (Vf)：2.15V @ 18A速度：快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)：195ns不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流：100μA @ 1200V不同 Vr、F 时的电容：-安装类型：表面贴装封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB供应商器件封装：PG-TO263-3工作温度 - 结：-55°C ~ 150°C现在可以订购IDB18E120，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
