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FF200R12KE4PHOSA1 图片
FF200R12KE4PHOSA1
  • 制造厂商:英飞凌(Infineon)
  • 类别封装:晶体管 - IGBT - 模块,封装:模块
  • 技术参数:IGBT MODULE 1200V 200A
  • (专注销售英飞凌电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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    专营英飞凌芯片半导体
    全方位电子元器件现货供应链管理解决方案,英飞凌授权中国一级代理商
    技术参数详情:
  • 制造商产品型号:FF200R12KE4PHOSA1
  • 制造商:英飞凌半导体(Infineon)
  • 描述:IGBT MODULE 1200V 200A
  • 系列:晶体管 - IGBT - 模块
  • 零件状态:有源
  • IGBT类型:沟槽型场截止
  • 配置:半桥
  • 电压-集射极击穿(最大值):1200V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):200A
  • 功率-最大值:-
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,200A
  • 电流-集电极截止(最大值):5mA
  • 不同?Vce时输入电容(Cies):14nF @ 25V
  • 输入:标准
  • NTC热敏电阻:无
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C
  • 安装类型:底座安装
  • 封装:模块
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