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FF1200R17KE3NOSA1
制造厂商:英飞凌(Infineon)
类别封装:晶体管 - IGBT - 模块,封装:模块
技术参数:IGBT MODULE VCES 1700V 1200A
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技术参数详情:
制造商产品型号:FF1200R17KE3NOSA1制造商:英飞凌半导体(Infineon)描述:IGBT MODULE VCES 1700V 1200A系列:晶体管 - IGBT - 模块零件状态:不適用於新設計IGBT类型:-配置:单斩波器电压-集射极击穿(最大值):1700V电流-集电极(Ic)(最大值):-功率-最大值:595000W不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.45V @ 15V,1200A电流-集电极截止(最大值):5mA不同?Vce时输入电容(Cies):110nF @ 25V输入:标准NTC热敏电阻:无工作温度:-40°C ~ 125°C安装类型:底座安装封装:模块现在可以订购FF1200R17KE3NOSA1,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。