英飞凌中国代理商联接渠道
强大的Infineon英飞凌芯片现货交付能力
DF75R12W1H4FB11BOMA2
制造厂商：英飞凌（Infineon）
类别封装：晶体管 - IGBT - 模块，封装：模块
技术参数：IGBT MOD 1200V 25A 20MW
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技术参数详情：
制造商产品型号：DF75R12W1H4FB11BOMA2制造商：英飞凌半导体（Infineon）描述：IGBT MOD 1200V 25A 20MW系列：晶体管 - IGBT - 模块零件状态：最後搶購IGBT类型：-配置：三相反相器电压-集射极击穿（最大值）：1200V电流-集电极(Ic)（最大值）：25A功率-最大值：20mW不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.65V @ 15V，25A电流-集电极截止（最大值）：1mA不同?Vce时输入电容(Cies)：2nF @ 25V输入：标准NTC热敏电阻：是工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型：底座安装封装：模块现在可以订购DF75R12W1H4FB11BOMA2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
