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强大的Infineon英飞凌芯片现货交付能力
BSZ0910NDXTMA1
制造厂商：英飞凌（Infineon）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-PowerVDFN
技术参数：DIFFERENTIATED MOSFETS
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技术参数详情：
制造商产品型号：BSZ0910NDXTMA1制造商：英飞凌半导体（Infineon）描述：DIFFERENTIATED MOSFETS系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：OptiMOS?零件状态：有源FET类型：2 N-通道（双）FET功能：逻辑电平栅极，4.5V 驱动漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：9.5A（Ta），25A（Tc）不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：9.5 毫欧 @ 9A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：5.6nC @ 4.5V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：800pF @ 15V功率-最大值：1.9W（Ta），31W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-PowerVDFN现在可以订购BSZ0910NDXTMA1，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
