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强大的Infineon英飞凌芯片现货交付能力
BSO612CV G
制造厂商：英飞凌（Infineon）
类别封装：场效应管阵列，PG-DSO-8
技术参数：MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
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技术参数详情：
制造商产品型号：BSO612CV G制造商：英飞凌半导体（Infineon）描述：MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC系列：SIPMOSFET 类型：N 和 P 沟道FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：60V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3A，2A不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：120 毫欧 @ 3A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 20μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：15.5nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：340pF @ 25V功率 - 最大值：2W安装类型：表面贴装封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装：PG-DSO-8现在可以订购BSO612CV G，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
