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BSO330N02K G
制造厂商：英飞凌（Infineon）
类别封装：场效应管阵列，PG-DSO-8
技术参数：MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8DSO
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技术参数详情：
制造商产品型号：BSO330N02K G制造商：英飞凌半导体（Infineon）描述：MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8DSO系列：OptiMOS?FET 类型：2 个 N 沟道（双）FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：5.4A不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：30 毫欧 @ 6.5A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 20μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：4.9nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：730pF @ 10V功率 - 最大值：1.4W安装类型：表面贴装封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装：PG-DSO-8现在可以订购BSO330N02K G，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
