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强大的Infineon英飞凌芯片现货交付能力
BSO203P H
制造厂商：英飞凌（Infineon）
类别封装：场效应管阵列，P-DSO-8
技术参数：MOSFET 2P-CH 20V 7A DSO-8
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技术参数详情：
制造商产品型号：BSO203P H制造商：英飞凌半导体（Infineon）描述：MOSFET 2P-CH 20V 7A DSO-8系列：OptiMOS?FET 类型：2 个 P 沟道（双）FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：7A不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：21 毫欧 @ 8.2A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 100μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：39nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3750pF @ 15V功率 - 最大值：1.6W安装类型：表面贴装封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装：P-DSO-8现在可以订购BSO203P H，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
