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强大的Infineon英飞凌芯片现货交付能力
BSO201SP H
制造厂商：英飞凌（Infineon）
类别封装：单端场效应管，PG-DSO-8
技术参数：MOSFET P-CH 20V 12A 8SOIC
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技术参数详情：
制造商产品型号：BSO201SP H制造商：英飞凌半导体（Infineon）描述：MOSFET P-CH 20V 12A 8SOIC系列：OptiMOS?FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：12A（Ta）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：8 毫欧 @ 14.9A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：88nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：9600pF @ 15V功率 - 最大值：1.6W安装类型：表面贴装封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装：PG-DSO-8现在可以订购BSO201SP H，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
