英飞凌中国代理商联接渠道
强大的Infineon英飞凌芯片现货交付能力
BSG0813NDIATMA1
制造厂商：英飞凌（Infineon）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-PowerTDFN
技术参数：MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A TISON8
（专注销售英飞凌电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
（您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购）
技术参数详情：
制造商产品型号：BSG0813NDIATMA1制造商：英飞凌半导体（Infineon）描述：MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A TISON8系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：-零件状态：有源FET类型：2 N 沟道（双）非对称型FET功能：逻辑电平栅极，4.5V 驱动漏源电压（Vdss）：25V25°C时电流-连续漏极(Id)：19A，33A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3 毫欧 @ 20A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：8.4nC @ 4.5V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1100pF @ 12V功率-最大值：2.5W工作温度：-55°C ~ 155°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-PowerTDFN现在可以订购BSG0813NDIATMA1，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
