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强大的Infineon英飞凌芯片现货交付能力
BSD235N H6327
制造厂商：英飞凌（Infineon）
类别封装：场效应管阵列，PG-SOT363-6
技术参数：MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
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技术参数详情：
制造商产品型号：BSD235N H6327制造商：英飞凌半导体（Infineon）描述：MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363系列：OptiMOS?FET 类型：2 个 N 沟道（双）FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：950mA不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：350 毫欧 @ 950mA，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 1.6μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：0.32nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：63pF @ 10V功率 - 最大值：500mW安装类型：表面贴装封装/外壳：6-VSSOP，SC-88，SOT-363供应商器件封装：PG-SOT363-6现在可以订购BSD235N H6327，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
