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BSC155N06NDATMA1
制造厂商:英飞凌(Infineon)
类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:8-PowerVDFN
技术参数:TRENCH 40<-<100V
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技术参数详情:
制造商产品型号:BSC155N06NDATMA1制造商:英飞凌半导体(Infineon)描述:TRENCH 40<-<100V系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品系列:OptiMOS?-T2零件状态:有源FET类型:2 N-通道(双)FET功能:标准漏源电压(Vdss):60V25°C时电流-连续漏极(Id):20A(Tc)不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):15.5 毫欧 @ 17A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 20μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):29nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2250pF @ 30V功率-最大值:50W(Tc)工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装:8-PowerVDFN现在可以订购BSC155N06NDATMA1,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。